IKA10N60TXKSA1, Транзистор биполярный IGBT, 600В, 11.7А
![Фото 1/4 IKA10N60TXKSA1, Транзистор биполярный IGBT, 600В, 11.7А](https://static.chipdip.ru/lib/737/DOC043737174.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/267/DOC013267839.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/259/DOC047259962.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/432/DOC004432118.jpg)
850 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
720 ֏
от 19 шт. —
680 ֏
от 37 шт. —
660 ֏
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 2 550 ֏
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Транзистор биполярный IGBT, 600В, 11.7А
Технические параметры
Корпус | TO-220F | |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В | |
Collector Emitter Voltage Max | 600В | |
Continuous Collector Current | 11.7А | |
Power Dissipation | 30Вт | |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP | |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C | |
Монтаж транзистора | Through Hole | |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP | |
Время | задержки включения/выключения-12/215 нс | |
Диапазон рабочих температур | -40…+175 °С | |
Максимально допустимое напряжение | коллектор-эмиттер(VCEO)-600 V; напряжение затвор-эмиттер-20 V | |
Максимальный ток | коллектора(Iк max)-11.7 А | |
Мощность | рассеиваемая(Pd)-30 Вт | |
Напряжение | насыщения коллектор-эмиттер-1.5 V | |
Описание | 600V, 11.7A, 30W IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor) | |
Способ монтажа | Through Hole | |
Тип | IGBT | |
Ток утечки | затвор-эмиттер-100 nA | |
Упаковка | TUBE, 50 шт. | |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V | |
Maximum Continuous Collector Current | 11.7 A | |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V | |
Maximum Power Dissipation | 30 W | |
Mounting Type | Through Hole | |
Number of Transistors | 1 | |
Package Type | PG-TO220-3 | |
Pin Count | 3 | |
Вес, г | 3.26 |
Техническая документация
Datasheet IKA10N60TXKSA1
pdf, 510 КБ