IKA10N60TXKSA1, Транзистор биполярный IGBT, 600В, 11.7А

Фото 1/4 IKA10N60TXKSA1, Транзистор биполярный IGBT, 600В, 11.7А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
850 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт.720 ֏
от 19 шт.680 ֏
от 37 шт.660 ֏
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 2 550 ֏
Номенклатурный номер: 8025974114

Описание

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Транзистор биполярный IGBT, 600В, 11.7А

Технические параметры

Корпус TO-220F
Collector Emitter Saturation Voltage 1.5В
Collector Emitter Voltage Max 600В
Continuous Collector Current 11.7А
Power Dissipation 30Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции TRENCHSTOP
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора TO-220FP
Время задержки включения/выключения-12/215 нс
Диапазон рабочих температур -40…+175 °С
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер(VCEO)-600 V; напряжение затвор-эмиттер-20 V
Максимальный ток коллектора(Iк max)-11.7 А
Мощность рассеиваемая(Pd)-30 Вт
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер-1.5 V
Описание 600V, 11.7A, 30W IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)
Способ монтажа Through Hole
Тип IGBT
Ток утечки затвор-эмиттер-100 nA
Упаковка TUBE, 50 шт.
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Continuous Collector Current 11.7 A
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V
Maximum Power Dissipation 30 W
Mounting Type Through Hole
Number of Transistors 1
Package Type PG-TO220-3
Pin Count 3
Вес, г 3.26

Техническая документация

Datasheet IKA10N60TXKSA1
pdf, 510 КБ