RGS60TS65DHRC11, Транзистор: IGBT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

428 шт., срок 8 недель

7 600 ֏

от 5 шт. — 6 100 ֏

от 30 шт. — 4 890 ֏

от 90 шт. — 4 360 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 7 600 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8026218840

Бренд: Rohm

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A FIELD STOP TRENCH

Pd - рассеивание мощности	223 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	RGS60TS65DHR
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Квалификация	AEC-Q101
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	56 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	30
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247N-3
Вес, г	5