PTE-R200P-WT фотоэлектрический датчик рефлекторный, Sn=200 см, PNP NO/NC, 10...30VDC, кабель 150мм с разъемом
![Фото 1/2 PTE-R200P-WT фотоэлектрический датчик рефлекторный, Sn=200 см, PNP NO/NC, 10...30VDC, кабель 150мм с разъемом](https://static.chipdip.ru/lib/223/DOC027223102.jpg)
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC037413625.jpg)
Описание
Технические характеристики
Модель |
PTE-R200P-WT |
|
|||
Тип срабатывания |
Рефлекторный
|
||||
Расстояние срабатывания |
200 см |
||||
Диаметр пятна |
~ 50мм/2м |
||||
Индикатор |
Индикатор : красный; Индикатор : зеленый |
||||
Режим работы |
На свет/ на затемнение (по выбору) |
||||
Тип выхода |
PNP |
||||
Время отклика |
< 1 мс |
||||
Регулировка чувствительности |
Однооборотный потенциометр |
||||
Источник света |
Красный СИД (623нм) модулированный |
||||
Питание |
10…30V DC |
||||
Ток нагрузки |
≤100мА (30VDC) |
||||
Потребление тока |
≤20мА |
||||
Степень защиты |
IP65 |
||||
Параметры окружающей среды |
-25℃…+55°С, без замораживания; 35%...85% ОВ, без конденсата |
||||
Внешняя засветка |
Солнечный свет: max. 10 000 Лк. Лампа накаливания: max. 3 000 люкс (освещение приемника) |
||||
Виброустойчивость |
при частоте 10-50 Гц амплитуда 0,5 мм по каждой из осей X, Y, Z в течение 2 часов |
||||
Защита |
от обратной полярности / от импульсов / от короткого замыкания |
||||
Поключение |
3-проводный кабель 150 мм (сечение 4 мм) с разъемом М8х1 |
||||
Материал |
PBT + стекловолокно (корпус); PMMA (оптика) |
Технические параметры
Тип | Фотодатчик | |
Напряжение питания, В | 10-30V DC | |
Рабочая температура, С | -25…+55 C | |
Корпус | пластик | |
Вес, г | 80 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 5 августа1 | бесплатно |
HayPost | 8 августа1 | 1 650 ֏2 |