GD600HFY120C2S, IGBT модуль 1200B 600А
![Фото 1/2 GD600HFY120C2S, IGBT модуль 1200B 600А](https://static.chipdip.ru/lib/913/DOC037913828.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/636/DOC004636335.jpg)
2 шт. с центрального склада, срок 3 недели
75 700 ֏
от 2 шт. —
73 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 75 700 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8026362929
Бренд: STARPOWER
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT
IGBT модуль 1200B 600А
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 2В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 1кА |
DC Ток Коллектора | 1кА |
Power Dissipation | 3.409кВт |
Выводы БТИЗ | Stud |
Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2В |
Рассеиваемая Мощность | 3.409кВт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
Вес, г | 2.27 |
Техническая документация
Datasheet GD600HFY120C2S
pdf, 307 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 24 июля1 | бесплатно |
HayPost | 28 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг