SI2316DS-T1-E3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 2,3А, 0,45Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 160 ֏
от 5 шт. —
580 ֏
от 25 шт. —
454 ֏
от 100 шт. —
361 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 160 ֏
Описание
МОП-транзистор 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V
Технические параметры
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.45 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Другие названия товара № | SI2316DS-E3 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SI2 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.6 mm |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet SI2316DS-T1-E3
pdf, 211 КБ
