IKW50N65H5FKSA1, Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 80A 305Вт PG-TO247-3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 000 ֏

от 6 шт. — 1 690 ֏

от 12 шт. — 1 570 ֏

от 24 шт. — 1 510 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 000 ֏

Номенклатурный номер: 8026569610

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы

Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 80A 305Вт PG-TO247-3

Корпус	PG-TO-247-3
Brand:	Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.65 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current at 25 C:	80 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	240
Gate-Emitter Leakage Current:	100 nA
Manufacturer:	Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage:	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-40 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	TO-247-3
Packaging:	Tube
Part # Aliases:	IKW50N65H5 SP001001734
Pd - Power Dissipation:	305 W
Product Category:	IGBT Transistors
Product Type:	IGBT Transistors
Series:	Trenchstop IGBT5
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si
Tradename:	TRENCHSTOP
Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	80 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Power Dissipation	305 W
Package Type	PG-TO247-3
Вес, г	7.987