SI4532CDY-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
540 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
414 ֏
от 30 шт. —
360 ֏
от 100 шт. —
308 ֏
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 160 ֏
Описание
Описание Транзистор: N/P-MOSFET, TrenchFET®, полевой, 30В, 4,9/-3,4А, SO8 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.3 A, 6 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 65 mΩ, 140 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 2.78 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOIC |
| Pin Count | 8 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6 nC @ 10 V, 7.8 nC @ 10 V |
| Width | 4mm |
| Вес, г | 0.2 |
