HXY7N65D, полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 650 В, 7 А, 1.4 Ом, 24 нКл, TO-252 (DPAK)
![HXY7N65D, полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 650 В, 7 А, 1.4 Ом, 24 нКл, TO-252 (DPAK)](https://static.chipdip.ru/lib/131/DOC042131120.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2150 шт. с центрального склада, срок 9 дней
110 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 100 шт. —
102 ֏
50 шт.
на сумму 5 500 ֏
Номенклатурный номер: 8028728061
Бренд: HXY
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
Технические параметры
Корпус | TO-252(DPAK) | |
Диапазон рабочих температур | -45…+125 °С | |
Емкость, пФ | 1130 | |
Заряд затвора, нКл | 24 | |
Максимальное напряжение сток-исток, В | 650 | |
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 7 | |
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 1400 | |
Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
Тип | MOSFET | |
Тип проводимости | N | |
Упаковка | REEL, 2500 шт. | |
Вес, г | 0.56 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 629 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
HayPost | 4 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг