IRFR5410PBF, DPAK/TO-252AA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
750 ֏
Кратность заказа 2 шт.
от 50 шт. —
326 ֏
от 200 шт. —
295 ֏
от 350 шт. —
291 ֏
2 шт.
на сумму 1 500 ֏
Описание
транзисторы полевые импортные
MOSFET, P-CH, -100V, -13A, TO-252AA; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-13A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):0.205ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V; Power Dissipation Pd:66W; Transistor Case Style:TO-252AA; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:HEXFET Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Крутизна характеристики S,А/В | 3.2 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 205 |
| Температура, С | -55…+150 |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 13 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 205@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 66000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | HEXFET |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Supplier Package | DPAK |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 58(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 58(Max)@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 760@25V |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet IRFU5410PBF
pdf, 273 КБ
