SKM200GB125D, Модуль
![Фото 1/5 SKM200GB125D, Модуль](https://static.chipdip.ru/lib/454/DOC044454804.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/782/DOC035782599.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/862/DOC035862108.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/862/DOC035862112.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/862/DOC035862116.jpg)
1 шт. с центрального склада, срок 2 недели
192 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 192 000 ֏
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги4
Описание
Описание Полумост БТИЗ, URmax 1,2кВ, Ic 160А, Ifsм 300А, SEмITrans3, В D56 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Channel Type | N |
Configuration | Dual Half Bridge |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 200 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Panel Mount |
Package Type | SEMITRANS3 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Series |
Application | frequency changer, Inverter |
Case | SEMITRANS3 |
Collector current | 160A |
Electrical mounting | FASTON connectors, screw |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Manufacturer | SEMIKRON DANFOSS |
Max. off-state voltage | 1.2kV |
Mechanical mounting | screw |
Pulsed collector current | 300A |
Semiconductor structure | transistor/transistor |
Topology | IGBT half-bridge |
Type of module | IGBT |
Version | D56 |
Вес, г | 322.7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 164 КБ
Datasheet
pdf, 706 КБ
Datasheet SKM200GB125D
pdf, 706 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 17 июля1 | бесплатно |
HayPost | 21 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг