BSD223PH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -0,39А, 0,25Вт, PG-SOT-363
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
165 ֏
от 10 шт. —
120 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 165 ֏
Описание
Описание Транзистор полевой BSD223PH6327XTSA1 от ведущего производителя INFINEON – это высокоэффективный компонент для современной электроники. С монтажом типа SMD, он характеризуется током стока в 0,39 А и напряжением сток-исток до 20 В, что обеспечивает надежную работу в широком диапазоне применений. Мощность транзистора составляет 0,25 Вт, а сопротивление в открытом состоянии – всего 1,2 Ом, что гарантирует его эффективную работу. Модель N-MOSFET упакована в компактный корпус PG-SOT-363, идеально подходит для поверхностного монтажа. Используйте BSD223PH6327XTSA1 для повышения производительности вашей электронной аппаратуры. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 0.39 |
| Напряжение сток-исток, В | 20 |
| Мощность, Вт | 0.25 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 1.2 |
| Корпус | PG-SOT-363 |
Технические параметры
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 390 mA |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-363 |
| Pin Count | 6 |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 3.2 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 350 mS |
| Id - Continuous Drain Current: | 390 mA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Part # Aliases: | BSD223P H6327 SP000924074 |
| Pd - Power Dissipation: | 250 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 500 pC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.2 Ohms |
| Rise Time: | 5 ns |
| Series: | BSD223 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 5.1 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV |
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Вес, г | 0.02 |
