IRFR1018EPBF, транзистор N канал 60В, 79A, TO-252AA / D-Pak
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
660 ֏
от 12 шт. —
352 ֏
1 шт.
на сумму 660 ֏
Описание
транзисторы полевые импортные
MOSFET, N-CH, 60V, 79A, TO-252AA, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:79A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):0.0071ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2V, Power , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 79 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Lead Finish | Matte Tin | |
| Max Processing Temp | 260I300 | |
| Maximum Continuous Drain Current | 79 A | |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V | |
| Mounting | Surface Mount | |
| Operating Temperature | -55 to 175 °C | |
| RDS-on | 8.4@10V mOhm | |
| Typical Fall Time | 46 ns | |
| Typical Rise Time | 35 ns | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 55 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 13 ns | |
| Вес, г | 0.71 |
