BSS138-7-F, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 50В, 200мА, 360мВт, SOT23

Фото 1/6 BSS138-7-F, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 50В, 200мА, 360мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
36 ֏
от 10 шт.27 ֏
от 100 шт.25 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 36 ֏
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги8
Номенклатурный номер: 8030573017
Бренд: DIODES INC.

Описание

N-канальный полевой МОП-транзистор, от 40 до 90 В, Diodes Inc.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Количество элементов на ИС 1
Длина 3мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 20 нс
Производитель DiodesZetex
Типичное время задержки выключения 20 нс
Максимальный непрерывный ток стока 200 mA
Тип корпуса SOT-23
Максимальное рассеяние мощности 300 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 1.4мм
Maximum Gate Threshold Voltage 1.35V
Высота 1.1мм
Максимальное сопротивление сток-исток 3.5 Ω
Максимальное напряжение сток-исток 50 В
Число контактов 3
Размеры 3 x 1.4 x 1.1мм
Категория Малый сигнал
Материал транзистора Кремний
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 50 пФ при 10 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 200 mA
Maximum Drain Source Resistance 3.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage 50 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 300 mW
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Material Si
Width 1.4mm
Brand: Diodes Incorporated
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Forward Transconductance - Min: 100 mS
Id - Continuous Drain Current: 200 mA
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 300 mW
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Product: MOSFET Small Signal
Rds On - Drain-Source Resistance: 3.5 Ohms
Series: BSS138
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 20 ns
Typical Turn-On Delay Time: 20 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 50 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 500 mV
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 588 КБ
Datasheet BSS138-7-F
pdf, 200 КБ
BSS138 [Diodes] Datasheet
pdf, 381 КБ