BSS138-7-F, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 50В, 200мА, 360мВт, SOT23
![Фото 1/6 BSS138-7-F, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 50В, 200мА, 360мВт, SOT23](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735666.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/618/DOC003618419.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/458/DOC004458815.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/472/DOC018472444.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/961/DOC025961121.jpg)
36 ֏
от 10 шт. —
27 ֏
от 100 шт. —
25 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 36 ֏
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги8
Описание
N-канальный полевой МОП-транзистор, от 40 до 90 В, Diodes Inc.
Технические параметры
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 3мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 20 нс |
Производитель | DiodesZetex |
Типичное время задержки выключения | 20 нс |
Максимальный непрерывный ток стока | 200 mA |
Тип корпуса | SOT-23 |
Максимальное рассеяние мощности | 300 мВт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Ширина | 1.4мм |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1.35V |
Высота | 1.1мм |
Максимальное сопротивление сток-исток | 3.5 Ω |
Максимальное напряжение сток-исток | 50 В |
Число контактов | 3 |
Размеры | 3 x 1.4 x 1.1мм |
Категория | Малый сигнал |
Материал транзистора | Кремний |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 50 пФ при 10 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 200 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 3.5 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 50 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 300 mW |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Material | Si |
Width | 1.4mm |
Brand: | Diodes Incorporated |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Forward Transconductance - Min: | 100 mS |
Id - Continuous Drain Current: | 200 mA |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Product: | MOSFET Small Signal |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.5 Ohms |
Series: | BSS138 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 50 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 588 КБ
Datasheet BSS138-7-F
pdf, 200 КБ
BSS138 [Diodes] Datasheet
pdf, 381 КБ