IRF9Z34PBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
800 ֏
от 10 шт. —
630 ֏
от 50 шт. —
489 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 800 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -60В, -18А, Idm: -72А, 88Вт, TO220AB Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 18 A |
| Pd - рассеивание мощности | 88 W |
| Qg - заряд затвора | 34 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 140 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 120 ns |
| Время спада | 58 ns |
| Высота | 15.49 mm |
| Длина | 10.41 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5.9 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IRF9Z |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220AB-3 |
| Ширина | 4.7 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 140 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 88 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Width | 4.7mm |
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 2068 КБ
Datasheet IRF9Z34PBF
pdf, 284 КБ
IRF9Z34 datasheet
pdf, 174 КБ
IRF9Z34N
pdf, 108 КБ
Документация
pdf, 282 КБ
Datasheet IRF9Z34
pdf, 153 КБ
