N-Channel MOSFET, 25 A, 30 V PowerPAK SO-8 SIRA12DP-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 070 ֏
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 5 350 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Vishay Semiconductor N-channel 30 V 25A (Tc) 4.5W (Ta), 31W (Tc) surface mount iTime is halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition and its applications are high power density DC, DC, synchronous rectification, VRMs and embedded DC, DC.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 25 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| Pd - рассеивание мощности | 31 W |
| Qg - заряд затвора | 45 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.2 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 10 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Высота | 1.04 mm |
| Длина | 6.15 mm |
| Другие названия товара № | SIRA12DP-GE3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 51 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SIR |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| Ширина | 5.15 mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 339 КБ
