IRFP3415PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 150В, 43А, 200Вт, TO247AC
![Фото 1/3 IRFP3415PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 150В, 43А, 200Вт, TO247AC](https://static.chipdip.ru/lib/864/DOC043864319.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/788/DOC021788854.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/431/DOC004431271.jpg)
3 740 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 740 ֏
Описание
Транзисторы
Описание Транзистор полевой IRFP3415PBF от известного производителя INFINEON - это надежный компонент для мощных электронных схем. Оснащенный корпусом TO247AC для монтажа THT, этот N-MOSFET транзистор способен управлять током стока до 43А и выдерживает напряжение сток-исток до 150В. С мощностью 200Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,042 Ом, IRFP3415PBF обеспечивает эффективную работу и минимальные потери энергии. Идеален для применения в источниках питания, преобразователях и других высоковольтных применениях. Уникальный код товара IRFP3415PBF подтверждает подлинность и качество каждого экземпляра. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 43 |
Напряжение сток-исток, В | 150 |
Мощность, Вт | 200 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.042 |
Корпус | TO247AC |
Технические параметры
Корпус | to247ac | |
Вид | N-MOSFET | |
Монтаж | THT | |
Мощность, Вт | 200 | |
Напряжение сток-исток, В | 150 | |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.042 | |
Тип | полевой | |
Ток стока, А | 43 | |
Channel Type | N Channel | |
Drain Source On State Resistance | 0.042Ом | |
Power Dissipation | 200Вт | |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
Линейка Продукции | HEXFET | |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C | |
Монтаж транзистора | Through Hole | |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В | |
Напряжение Истока-стока Vds | 150В | |
Непрерывный Ток Стока | 43А | |
Полярность Транзистора | N Канал | |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В | |
Рассеиваемая Мощность | 200Вт | |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.042Ом | |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247AC | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 43A(Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
FET Feature | - | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 25V | |
Manufacturer | Infineon Technologies | |
Mounting Type | Through Hole | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) | |
Package / Case | TO-247-3 | |
Packaging | Bulk | |
Part Status | Active | |
Power Dissipation (Max) | 200W(Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 22A, 10V | |
Series | HEXFETВ® | |
Supplier Device Package | TO-247AC | |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±20V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
Channel Mode | Enhancement | |
Maximum Continuous Drain Current | 43A | |
Maximum Drain Source Voltage | 43 A | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | TO-247 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Material | Si | |
Вес, г | 5.59 |