BGA5H1BN6E6327XTSA1 , RF Amplifier Low Noise, 18.1 dB 2690 MHz, 6-Pin TSNP-6-10
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
660 ֏
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 6 600 ֏
Описание
Semiconductors\Amplifiers & Comparators\RF Amplifiers ICs
The Infineon high gain low noise amplifier for LTE high band is LTE data rate can be significantly improved by using the Low Noise Amplifier.
Технические параметры
| Amplifier Type | Low Noise |
| Maximum Operating Frequency | 2690 MHz |
| Package Type | TSNP-6-10 |
| Pin Count | 6 |
| Typical Noise Figure | 1.2dB |
| Typical Output Power | 60mW |
| Typical Power Gain | 18.1 dB |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 85°C |
| Максимальная Частота | 2.69ГГц |
| Максимальное Напряжение Питания | 3.6В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Минимальная Частота | 2.3ГГц |
| Минимальное Напряжение Питания | 1.5В |
| Стиль Корпуса Радиочастотной Микросхемы | TSNP |
| Типичное Значение Коэффициента Шума | 0.7дБ |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Усиление | 18.1дБ |
| Automotive | No |
| Maximum Operating Supply Voltage - (V) | 3.6 |
| Maximum Supply Current - (mA) | 11.6@2.8V |
| Military | No |
| Operating Temperature - (??C) | -40~85 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Supplier Package | TSNP |
| Typical Noise Figure - (dB) | 5.2@2500MHz |
| Typical Power Gain - (dB) | 18.3@2500MHz |
Техническая документация
Datasheet BGA5H1BN6E6327XTSA1
pdf, 331 КБ
