FP35R12KT4BPSA1 IGBT, 35 A 1200 V AG-ECONO2B-411

Фото 1/2 FP35R12KT4BPSA1 IGBT, 35 A 1200 V AG-ECONO2B-411
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
186 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 186 000 ֏
Номенклатурный номер: 8030973605

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon EconoPIM 2 1200 V, 35 A three phase PIM IGBT module with fast TRENCHSTOP IGBT4, emitter controlled 4 diode and NTC.

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 35 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Power Dissipation 210 W
Package Type AG-ECONO2B-411
Collector Emitter Saturation Voltage 1.85В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 35А
DC Ток Коллектора 35А
Power Dissipation 210Вт
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ Seven Pack
Линейка Продукции EconoPIM 2
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.85В
Рассеиваемая Мощность 210Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 4(Trench/Field Stop)

Техническая документация

Datasheet
pdf, 646 КБ