P-Channel MOSFET, 40 V SOT-23 TP2104K1-G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 370 ֏
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 13 700 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Microchip P-Channel low threshold, enhancement-mode (normally-off) MOSFET utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process.
Технические параметры
| Channel Type | P |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | SOT-23 |
| Id - непрерывный ток утечки | 160 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 360 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 4 ns |
| Время спада | 5 ns |
| Высота | 0.95 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 150 mS |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип | FET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4 ns |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Drain Source On State Resistance | 6Ом |
| Power Dissipation | 360мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 160мА |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Рассеиваемая Мощность | 360мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 6Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-236AB |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
