BSC0925NDATMA1 Dual IGBT, 8-Pin PG-TISON-8, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
890 ֏
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 8 900 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon MOSFET is a dual N channel MOSFET. It is an optimized for high performance buck converter.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | PG-TISON-8 |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 15 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 4.5@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 2 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2500 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Standard Package Name | SON |
| Supplier Package | TISON EP |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 13 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 6.7@4.5VI13@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 870@15V |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.0042Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.0042Ом |
| Power Dissipation N Channel | 30Вт |
| Power Dissipation P Channel | 30Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | OptiMOS Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 30В |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 40А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 40А |
| Стиль Корпуса Транзистора | TISON |
Техническая документация
Документация
pdf, 625 КБ
