TK20A60W Транзистор полевой MOSFET

Фото 1/3 TK20A60W Транзистор полевой MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1184 шт., срок 6 недель
1 070 ֏
Мин. кол-во для заказа 46 шт.
Добавить в корзину 46 шт. на сумму 49 220 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8031089266
Бренд: Toshiba

Описание

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 20А, 45Вт, TO220FP

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Forward Diode Voltage 1.7V
Maximum Continuous Drain Current 20 A
Maximum Drain Source Resistance 155 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 600 V
Maximum Gate Source Voltage -30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage 3.7V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 45 W
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220SIS
Pin Count 3
Series TK
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 48 nC @ 10 V
Width 4.5mm
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 239 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 14 августа1 бесплатно
HayPost 18 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг