IRF540NS, полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, 53 нКл, TO-263 (D2PAK)
![IRF540NS, полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, 53 нКл, TO-263 (D2PAK)](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395421.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
800 шт. с центрального склада, срок 9 дней
234 ֏
Кратность заказа 20 шт.
от 100 шт. —
220 ֏
от 200 шт. —
203 ֏
20 шт.
на сумму 4 680 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8031191539
Бренд: Slkor(SLKORMICRO Elec.)
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
TO-263 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Корпус | TO-263(D2PAK) | |
Емкость, пФ | 1331 | |
Заряд затвора, нКл | 53 | |
Максимальное напряжение сток-исток, В | 100 | |
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 33 | |
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 38 | |
Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
Тип | MOSFET | |
Тип проводимости | N | |
Транспортная упаковка: размер/кол-во | 40*34*34/800 | |
Упаковка | REEL, 800 шт. | |
Continuous Drain Current (Id) | 45A | |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 30mΩ@10V, 45A | |
Drain Source Voltage (Vdss) | 100V | |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - | |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | - | |
Power Dissipation (Pd) | - | |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - | |
Type | 1PCSNChannel | |
Вес, г | 2.63 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 676 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
HayPost | 4 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг