BSO110N03MSG, Транзистор полевой N-канал 30В 10A DSO8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
630 ֏
от 10 шт. —
409 ֏
от 40 шт. —
396 ֏
от 70 шт. —
394 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 630 ֏
Описание
транзисторы полевые импортные
Описание Транзистор полевой N-MOSFET BSO110N03MSGXUMA1 от INFINEON обладает выдающимися характеристиками, такими как ток стока 12,1 А, напряжение сток-исток 30 В и мощность 1,56 Вт. С его сопротивлением в открытом состоянии всего 0,011 Ом, этот компонент гарантирует высокую эффективность в вашей области применения. Благодаря монтажу SMD и корпусу PG-DSO-8, он легко интегрируется в различные электронные схемы. Используйте BSO110N03MSGXUMA1 для повышения надежности и производительности ваших проектов. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 12.1 |
| Напряжение сток-исток, В | 30 |
| Мощность, Вт | 1.56 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.011 |
| Корпус | PG-DSO-8 |
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 4.4 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 16 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 12.1 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Part # Aliases: | BSO110N03MS G SP000446062 |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 15 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11.1 mOhms |
| Rise Time: | 4.4 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 9.5 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 554 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 522 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 11 КБ
