P-Channel MOSFET, 6 A, 8 V SOT-23 SI2329DS-T1-GE3
![P-Channel MOSFET, 6 A, 8 V SOT-23 SI2329DS-T1-GE3](https://static.chipdip.ru/lib/389/DOC044389833.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
760 ֏
Кратность заказа 25 шт.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 19 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Vishay Semiconductor P-channel 8 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) surface mount SOT-23-3 (TO-236) halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition.
Технические параметры
Channel Type | P |
Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
Maximum Drain Source Voltage | 8 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | SOT-23-3(TO-236) |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 190 КБ