IRF7451TRPBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 150В, 3,6А, 2,5Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
660 ֏
от 10 шт. —
620 ֏
1 шт.
на сумму 660 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы
МОП-транзистор MOSFT 150V 3.6A 90mOhm 28nC
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 3.6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Qg - заряд затвора | 28 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 90 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.75 mm |
| Длина | 4.9 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Ширина | 3.9 mm |
| Вес, г | 0.44 |
Техническая документация
Datasheet IRF7451TRPBF
pdf, 130 КБ
Datasheet IRF7451TRPBF
pdf, 130 КБ
