IRFS38N20DTRLP, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 200В, 44А, 320Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 120 ֏
от 10 шт. —
1 980 ֏
1 шт.
на сумму 2 120 ֏
Описание
The Infineon IRFS series is the 200V single n channel IR mosfet in a D2 Pak package. Planar cell structure for wide SOA
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 43 |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 54 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 200 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3800 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 2 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | HEXFET |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 47 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 60 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 60 10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2900 25V |
| Typical Rise Time (ns) | 95 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 29 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 16 |
| Maximum Continuous Drain Current | 44 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | D2-Pak |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 43A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 25V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W(Ta), 300W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54mOhm @ 26A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Емкость, пФ | 2900 |
| Заряд затвора, нКл | 91 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 200 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 43 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 54 |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-320 Вт |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-5 В |
| Описание | MOSFET MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 69*50*55/800 |
| Упаковка | REEL, 800 шт. |
| Вес, г | 1.52 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 583 КБ
Datasheet IRFS38N20DTRLP
pdf, 580 КБ
