IPD068P03, L3G полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -80 А, 8.8 мОм, 45 нКл, TO-252 (DPAK)
![IPD068P03, L3G полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -80 А, 8.8 мОм, 45 нКл, TO-252 (DPAK)](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395425.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2500 шт. с центрального склада, срок 9 дней
256 ֏
Кратность заказа 25 шт.
от 100 шт. —
238 ֏
от 200 шт. —
220 ֏
25 шт.
на сумму 6 400 ֏
Номенклатурный номер: 8032677582
Бренд: HXY
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
Технические параметры
Корпус | TO-252(DPAK) | |
Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С | |
Емкость, пФ | 4320 | |
Заряд затвора, нКл | 45 | |
Максимальное напряжение сток-исток, В | -30 | |
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | -80 | |
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 8.8 | |
Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
Тип | MOSFET | |
Тип проводимости | P | |
Транспортная упаковка: размер/кол-во | 40*40*34/2500 | |
Упаковка | REEL, 2500 шт. | |
Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 841 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
HayPost | 4 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг