IXTA96P085T, Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -85В, -96А, 298Вт,TO263
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 700 ֏
4 940 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 940 ֏
Описание
Транзисторы
Описание Транзистор полевой IXTA96P085T от производителя IXYS представляет собой высокопроизводительный N-MOSFET компонент, выполненный в компактном SMD-корпусе типа TO263AA. Этот элемент обладает впечатляющим током стока в 96 ампер и напряжением сток-исток 85 вольт, что позволяет использовать его в различных сферах электроники, где необходима высокая мощность, достигающая 298 ватт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,013 ома, что гарантирует высокую эффективность и минимальные потери мощности. Транзистор IXTA96P085T идеально подойдет для мощных источников питания, преобразователей частоты и других применений, где требуется надежное управление мощными нагрузками. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 96 |
| Напряжение сток-исток, В | 85 |
| Мощность, Вт | 298 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.013 |
| Корпус | TO263AA |
Технические параметры
| Корпус | TO263AA | |
| Вид | N-MOSFET | |
| Монтаж | SMD | |
| Мощность, Вт | 298 | |
| Напряжение сток-исток, В | 85 | |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.013 | |
| Тип | полевой | |
| Ток стока, А | 96 | |
| California Prop 65 | Warning Information | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 96A (Tc) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 85V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ECCN | EAR99 | |
| FET Type | P-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V | |
| HTSUS | 8541.29.0095 | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13100pF @ 25V | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) | |
| Package | Tube | |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Power Dissipation (Max) | 298W (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 48A, 10V | |
| REACH Status | REACH Unaffected | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Series | TrenchPв„ў -> | |
| Supplier Device Package | TO-263 (IXTA) | |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±15V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
| Case | TO263 | |
| Drain current | -96A | |
| Drain-source voltage | -85V | |
| Gate charge | 180nC | |
| Gate-source voltage | ±15V | |
| Kind of channel | enhanced | |
| Kind of package | tube | |
| Manufacturer | IXYS | |
| Mounting | SMD | |
| On-state resistance | 13mΩ | |
| Polarisation | unipolar | |
| Power dissipation | 298W | |
| Reverse recovery time | 55ns | |
| Type of transistor | P-MOSFET | |
| Вес, г | 1.54 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 188 КБ
Datasheet IXTA96P085T
pdf, 189 КБ
