IPP034N08N5AKSA1, транзистор N-канал 80В 120A TO220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 490 ֏
от 3 шт. —
2 050 ֏
от 12 шт. —
2 040 ֏
от 21 шт. —
1 960 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 490 ֏
Описание
транзисторы полевые импортные
The Infineon OptiMOS 5 80 V power MOSFET, especially designed for synchronous rectification for telecom and server power supplies.
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.003Ом |
Power Dissipation | 167Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | OptiMOS 5 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
Непрерывный Ток Стока | 120А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
Рассеиваемая Мощность | 167Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.003Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
Maximum Continuous Drain Current | 120 A |
Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
Mounting Type | SMD |
Package Type | PG-TDSON |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet IPP034N08N5AKSA1
pdf, 1844 КБ