IGW50N60H3FKSA1 IGBT, 100 A 600 V, 3-Pin PG-TO247-3, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 100 ֏
Кратность заказа 30 шт.
Добавить в корзину 30 шт.
на сумму 153 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon IGBT is a high speed IGBT in Trench and Field stop technology. This IGBT has 175 degree Celsius maximum junction temperature and qualified according to JEDEC for target applications.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Maximum Power Dissipation | 333 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Pin Count | 3 |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2.3В |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Continuous Collector Current | 50А |
| Power Dissipation | 333Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1988 КБ
