IKB20N60TATMA1 IGBT, 41 A 600 V, 3-Pin PG-TO263-3, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 470 ֏
Кратность заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 6 940 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon IGBT has TRENCHSTOP and Field stop technology with soft, fast recovery anti parallel emitter controlled HE diode.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 41 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Maximum Power Dissipation | 166 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | PG-TO263-3 |
| Pin Count | 3 |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2.05В |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Continuous Collector Current | 20А |
| Power Dissipation | 166Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 685 КБ
