IKP20N60H3XKSA1 IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin PG-TO-220-3, Through Hole
![Фото 1/3 IKP20N60H3XKSA1 IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin PG-TO-220-3, Through Hole](https://static.chipdip.ru/lib/266/DOC047266120.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172664.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/586/DOC012586614.jpg)
3 080 ֏
Кратность заказа 2 шт.
2 шт.
на сумму 6 160 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon IGBT is a high speed IGBT in Trench and Field stop technology. This IGBT has 175 degree Celsius maximum junction temperature and qualified according to JEDEC for target applications.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
Maximum Power Dissipation | 170 W |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | PG-TO-220-3 |
Pin Count | 3 |
Collector Current | 40А |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.95В |
Collector Emitter Voltage Max | 600В |
Power Dissipation | 170Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOPT |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 73 КБ
Datasheet IKP20N60H3
pdf, 2293 КБ