IGZ100N65H5XKSA1 IGBT PG-TO247-4
![Фото 1/2 IGZ100N65H5XKSA1 IGBT PG-TO247-4](https://static.chipdip.ru/lib/187/DOC047187151.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/590/DOC006590076.jpg)
11 700 ֏
1 шт.
на сумму 11 700 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon TRENCHSTOP 5 IGBT technology is a high power package with an extra kelvin emitter pin. The TO-247 4pin provides ultra-low inductance to the gate-emitter control loop and brings TRENCHSTOP 5 IGBT to the next level of best in class switching performance.
Технические параметры
Maximum Power Dissipation | 536 W |
Package Type | PG-TO247-4 |
Pd - рассеивание мощности | 536 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | IGZ100N65H5 SP001160058 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 161 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 240 |
Серия | TRENCHSTOP 5 H5 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-4 |
Техническая документация
Datasheet IGZ100N65H5XKSA1
pdf, 1944 КБ
Datasheet IGZ100N65H5XKSA1
pdf, 1893 КБ