1N60G, полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 600 В, 1 А, 12 Ом, 4 нКл, SOT-223
![1N60G, полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 600 В, 1 А, 12 Ом, 4 нКл, SOT-223](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395410.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4000 шт. с центрального склада, срок 9 дней
31 ֏
Кратность заказа 4000 шт.
4000 шт.
на сумму 124 000 ֏
Номенклатурный номер: 8033501527
Бренд: HXY
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
Технические параметры
Корпус | SOT-223 | |
Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С | |
Емкость, пФ | 119 | |
Заряд затвора, нКл | 4 | |
Максимальное напряжение сток-исток, В | 600 | |
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 1 | |
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 12000 | |
Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
Тип | MOSFET | |
Тип проводимости | N | |
Транспортная упаковка: размер/кол-во | 40*40*21/4000 | |
Упаковка | REEL, 4000 шт. | |
Вес, г | 0.22 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1623 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
HayPost | 4 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг