IRL640SPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А 3.1Вт, 0.18 Ом

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 200 ֏

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 22 шт. — 980 ֏

от 50 шт. — 910 ֏

от 100 шт. — 880 ֏

2 шт. на сумму 2 400 ֏

Номенклатурный номер: 8099996436

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А 3.1Вт, 0.18 Ом

Корпус	D2Pak(TO-263)
Brand	Vishay Semiconductors
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	1000
Fall Time	52 ns
Height	4.83 mm
Id - Continuous Drain Current	17 A
Length	10.67 mm
Manufacturer	Vishay
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-263AB-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	3.1 W
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	180 mOhms
Rise Time	83 ns
RoHS	Details
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	44 ns
Typical Turn-On Delay Time	8 ns
Unit Weight	0.050717 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	200 V
Vgs - Gate-Source Voltage	10 V
Width	9.65 mm
Вид	MOSFET
Тип	полевой
Вес, г	1.35