N-Channel MOSFET, 28 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7456DDP-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 030 ֏
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 5 150 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 28 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 31 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 35.7 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Pin Count | 8 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 19.6 nC @ 10 V |
| Width | 5.26mm |
| Вес, г | 1 |
