IRG4PC30UDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 100 Вт

Фото 1/5 IRG4PC30UDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 100 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 900 ֏
от 3 шт.5 600 ֏
от 5 шт.5 300 ֏
от 9 шт.5 100 ֏
1 шт. на сумму 5 900 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8143487468

Описание

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 100 Вт

Технические параметры

Корпус TO-247AC
Brand Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.1 V
Configuration Single
Continuous Collector Current at 25 C 23 A
Continuous Collector Current Ic Max 23 A
Factory Pack Quantity 25
Height 20.3 mm
Length 15.9 mm
Manufacturer Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20 V
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-247-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 100 W
Product Category IGBT Transistors
RoHS Details
Technology Si
Unit Weight 1.340411 oz
Width 5.3 mm
Вес, г 7.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 385 КБ
Datasheet IRG4PC30UD
pdf, 216 КБ