N-Channel MOSFET, 25 A, 60 V, 3-Pin DPAK SQD25N06-22L_GE3
![Фото 1/3 N-Channel MOSFET, 25 A, 60 V, 3-Pin DPAK SQD25N06-22L_GE3](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236152.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236155.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172378.jpg)
890 ֏
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 4 450 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The SQ series of MOSFETs from Vishay Semiconductor are designed for all automotive applications requiring ruggedness and high reliability.
Технические параметры
Automotive Standard | AEC-Q101 |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 25 A |
Maximum Drain Source Resistance | 49 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 62 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Series | SQ Rugged |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
Width | 6.22mm |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 25A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1975pF @ 25V |
Manufacturer | Vishay Siliconix |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
Packaging | Cut Tape(CT) |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 62W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 20A, 10V |
Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
Drain Source On State Resistance | 0.018Ом |
Power Dissipation | 62Вт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TrenchFET |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 25А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
Рассеиваемая Мощность | 62Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.018Ом |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252AA |
Вес, г | 5 |