IHW20N120R3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 310 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 500 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 18 шт. —
1 240 ֏
от 30 шт. —
1 180 ֏
от 90 шт. —
1 120 ֏
2 шт.
на сумму 3 000 ֏
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 310 Вт
Технические параметры
| Корпус | TO-247 | |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Infineon-IHW20N120R3-DS-v02_06-EN
pdf, 1861 КБ
