IGW40N60H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 650 ֏
от 4 шт. —
3 160 ֏
от 7 шт. —
2 950 ֏
от 14 шт. —
2 840 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 650 ֏
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт
Технические параметры
| Корпус | TO-247 | |
| Pd - рассеивание мощности | 306 W | |
| Вид монтажа | Through Hole | |
| Другие названия товара № | IGW40N60H3FKSA1 IGW4N6H3XK SP000769926 | |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I | |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP | |
| Конфигурация | Single | |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C | |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | |
| Минимальная рабочая температура | 40 C | |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.95 V | |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A | |
| Подкатегория | IGBTs | |
| Размер фабричной упаковки | 240 | |
| Серия | HighSpeed 3 | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | IGBT Transistors | |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA | |
| Торговая марка | Infineon Technologies | |
| Упаковка | Tube | |
| Упаковка / блок | TO-247-3 | |
| Brand | Infineon Technologies | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.95 V | |
| Continuous Collector Current at 25 C | 80 A | |
| Continuous Collector Current Ic Max | 80 A | |
| Factory Pack Quantity | 240 | |
| Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA | |
| Manufacturer | Infineon | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -40 C | |
| Mounting Style | Through Hole | |
| Package / Case | TO-247 | |
| Packaging | Tube | |
| Part # Aliases | IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3XK SP000769926 | |
| Pd - Power Dissipation | 306 W | |
| Product Category | IGBT Transistors | |
| RoHS | Details | |
| Series | IGW40N60 | |
| Technology | Si | |
| Unit Weight | 0.229281 oz | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V | |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A | |
| Maximum Power Dissipation | 306 W | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Package Type | PG-TO247-3 | |
| Pin Count | 3 | |
| Вес, г | 8.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1990 КБ
Datasheet IGW40N60H3
pdf, 1937 КБ
