SI3900DV-T1-GE3
![Фото 1/2 SI3900DV-T1-GE3](https://static.chipdip.ru/lib/594/DOC008594029.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086723.jpg)
970 ֏
1 шт.
на сумму 970 ֏
Описание
транзисторы полевые импортные
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.4 | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.15 | |
Корпус | TSOP6 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 125 | |
Температура, С | -55…+150 | |
Вес, г | 0.02 |