IRG4PF50WPBF, Биполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт
![Фото 1/3 IRG4PF50WPBF, Биполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт](https://static.chipdip.ru/lib/179/DOC007179528.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/190/DOC000190723.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/734/DOC034734795.jpg)
4 890 ֏
от 6 шт. —
4 490 ֏
от 11 шт. —
4 230 ֏
от 25 шт. —
4 170 ֏
1 шт.
на сумму 4 890 ֏
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт
Технические параметры
Корпус | TO-247AC | |
Category | Discrete Semiconductor Products | |
Current - Collector (Ic) (Max) | 51A | |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 204A | |
Design Resources | IRG4PF50WPBF Saber ModelIRG4PF50WPBF Spice Model | |
Family | IGBTs-Single | |
Gate Charge | 160nC | |
IGBT Type | - | |
Input Type | Standard | |
Mounting Type | Through Hole | |
Online Catalog | Standard IGBTs | |
Other Names | *IRG4PF50WPBF | |
Package / Case | TO-247-3 | |
Packaging | Bulk | |
Power - Max | 200W | |
Product Training Modules | IGBT Primer Device and ApplicationsHigh Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers) | |
Reverse Recovery Time (trr) | - | |
Series | - | |
Standard Package | 25 | |
Supplier Device Package | TO-247AC | |
Switching Energy | 190µJ(on), 1.06mJ(off) | |
Td (on/off) @ 25°C | 29ns/110ns | |
Test Condition | 720V, 28A, 5 Ohm, 15V | |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 28A | |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900V | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet IRG4PF50WPBF
pdf, 648 КБ