IRL540PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28А 150Вт
![Фото 1/8 IRL540PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28А 150Вт](https://static.chipdip.ru/lib/192/DOC036192242.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/728/DOC017728233.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172664.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/166/DOC004166247.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514979.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/614/DOC007614548.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/586/DOC012586614.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/330/DOC024330483.jpg)
890 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 13 шт. —
760 ֏
от 26 шт. —
680 ֏
от 50 шт. —
650 ֏
3 шт.
на сумму 2 670 ֏
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28А 150Вт
Технические параметры
Корпус | TO-220AB | |
Id - непрерывный ток утечки | 28 A | |
Pd - рассеивание мощности | 150 W | |
Qg - заряд затвора | 64 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 77 mOhms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 5 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V | |
Вид монтажа | Through Hole | |
Время нарастания | 170 ns | |
Время спада | 80 ns | |
Высота | 15.49 mm | |
Длина | 10.41 mm | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Конфигурация | Single | |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 12 S | |
Максимальная рабочая температура | + 175 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 50 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel | |
Типичное время задержки выключения | 8.5 ns | |
Типичное время задержки при включении | 35 ns | |
Торговая марка | Vishay / Siliconix | |
Упаковка | Tube | |
Упаковка / блок | TO-220-3 | |
Ширина | 4.7 mm | |
Base Product Number | IRL540 -> | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 28A (Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V | |
ECCN | EAR99 | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 5V | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 25V | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Through Hole | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) | |
Other Related Documents | http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf | |
Package | Tube | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77mOhm @ 17A, 5V | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Supplier Device Package | TO-220AB | |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA | |
Automotive | No | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Configuration | Single | |
ECCN (US) | EAR99 | |
EU RoHS | Compliant | |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 28 | |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 77 5V | |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 | |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±10 | |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 | |
Maximum Power Dissipation (mW) | 150000 | |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
Mounting | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Part Status | Active | |
PCB changed | 3 | |
Pin Count | 3 | |
PPAP | No | |
Product Category | Power MOSFET | |
Standard Package Name | TO-220 | |
Supplier Package | TO-220 | |
Tab | Tab | |
Typical Fall Time (ns) | 80 | |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 64(Max)5V | |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2200 25V | |
Typical Rise Time (ns) | 170 | |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 35 | |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8.5 | |
Drain Source On State Resistance | 0.077Ом | |
Power Dissipation | 150Вт | |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
Монтаж транзистора | Through Hole | |
Напряжение Измерения Rds(on) | 5В | |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В | |
Непрерывный Ток Стока | 28А | |
Пороговое Напряжение Vgs | 2В | |
Рассеиваемая Мощность | 150Вт | |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.077Ом | |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB | |
FET Feature | - | |
Manufacturer | Vishay Siliconix | |
Packaging | Tube | |
Series | - | |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 252 КБ
Datasheet IRL540PBF
pdf, 1140 КБ
Datasheet IRL540PBF
pdf, 997 КБ
Документация
pdf, 1141 КБ