IRFIBF30GPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.9А 35Вт, 3.7 Ом
![Фото 1/2 IRFIBF30GPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.9А 35Вт, 3.7 Ом](https://static.chipdip.ru/lib/436/DOC004436576.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515025.jpg)
484 ֏
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 9 шт. —
414 ֏
от 18 шт. —
379 ֏
от 35 шт. —
366 ֏
5 шт.
на сумму 2 420 ֏
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.9А 35Вт, 3.7 Ом
Технические параметры
Корпус | TO-220F | |
Id - непрерывный ток утечки | 1.9 A | |
Pd - рассеивание мощности | 35 W | |
Qg - заряд затвора | 78 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.7 Ohms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 900 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V | |
Вид монтажа | Through Hole | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Конфигурация | Single | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 50 | |
Серия | IRFIBF | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Торговая марка | Vishay Semiconductors | |
Упаковка | Tube | |
Упаковка / блок | TO-220-3 | |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet IRFIBF30GPBF
pdf, 1456 КБ