IRFL9014TRPBF, транзистор P канал -60В -1.8А SOT223

Фото 1/7 IRFL9014TRPBF, транзистор P канал -60В -1.8А SOT223
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
383 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт.187 ֏
от 400 шт.174 ֏
от 700 шт.170 ֏
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 1 915 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8538219528

Описание

транзисторы полевые импортные
Описание Транзистор P-МОП, полевой, 60В 1,8A 3,1Вт 0,5Ом SOT223 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1.8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 3.1
Корпус sot223
Крутизна характеристики S,А/В 1.3
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 500
Температура, С -55…+150
Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Maximum Continuous Drain Current 1.8 A
Maximum Drain Source Resistance 500 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 2 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-223
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 12 nC @ 10 V
Width 3.7mm
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Емкость, пФ 270
Заряд затвора, нКл 12
Максимально допустимое напряжение затвор-исток(Vgs)±20 В
Максимальное напряжение сток-исток, В -60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 1.8
Мощность рассеиваемая(Pd)-2 Вт
Напряжение пороговое затвора(Vgs th)-4 В
Описание P-Channel 60 V 1.8A(Tc)2W(Ta), 3.1W(Tc)Surface Mount SOT-223
Способ монтажа поверхностный(SMT)
Тип MOSFET
Тип проводимости P
Упаковка REEL, 2500 шт.
Вес, г 0.39

Техническая документация

9014
pdf, 166 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 167 КБ