IRLD120PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.3A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
258 ֏
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 23 шт. —
232 ֏
от 46 шт. —
218 ֏
от 100 шт. —
209 ֏
8 шт.
на сумму 2 064 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.3A
Технические параметры
Корпус | HVMDIP-4 | |
Base Product Number | IRLD120 -> | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.3A (Ta) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V | |
ECCN | EAR99 | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 25V | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Through Hole | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) | |
Package | Tube | |
Package / Case | 4-DIP (0.300"", 7.62mm) | |
Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 780mA, 5V | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP | |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 1.3 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 270 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V | |
Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
Maximum Power Dissipation | 1.3 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | HVMDIP | |
Pin Count | 4 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 12 nC @ 5 V | |
Width | 6.29mm | |
Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1678 КБ
Datasheet
pdf, 1650 КБ
Datasheet IRLD120PBF
pdf, 808 КБ