IRFZ44PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 150Вт, 0.028 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
630 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 17 шт. —
540 ֏
от 34 шт. —
480 ֏
от 100 шт. —
440 ֏
4 шт.
на сумму 2 520 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 150Вт, 0.028 Ом
Технические параметры
| Корпус | TO-220AB | |
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A | |
| Pd - рассеивание мощности | 150 W | |
| Qg - заряд затвора | 67 nC | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 28 mOhms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V | |
| Вид монтажа | Through Hole | |
| Время нарастания | 110 ns | |
| Время спада | 92 ns | |
| Высота | 15.49 mm | |
| Длина | 10.41 mm | |
| Канальный режим | Enhancement | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Конфигурация | Single | |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 15 S | |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Размер фабричной упаковки | 50 | |
| Серия | IRFZ | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Тип транзистора | 1 N-Channel | |
| Типичное время задержки выключения | 45 ns | |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns | |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors | |
| Упаковка | Tube | |
| Упаковка / блок | TO-220-3 | |
| Ширина | 4.7 mm | |
| Base Product Number | IRFZ44 -> | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 50A (Tc) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ECCN | EAR99 | |
| FET Type | N-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V | |
| HTSUS | 8541.29.0095 | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 25V | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) | |
| Other Related Documents | http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf | |
| Package | Tube | |
| Package / Case | TO-220-3 | |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 31A, 10V | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Supplier Device Package | TO-220AB | |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
| Brand | Vishay Semiconductors | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Configuration | Single | |
| Factory Pack Quantity | 1000 | |
| Fall Time | 92 ns | |
| Id - Continuous Drain Current | 50 A | |
| Manufacturer | Vishay | |
| Maximum Operating Temperature | +175 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | Through Hole | |
| Packaging | Tube | |
| Pd - Power Dissipation | 150 W | |
| Product Category | MOSFET | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 28 mOhms | |
| Rise Time | 110 ns | |
| RoHS | Details | |
| Series | IRF/SIHFZ44 | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 45 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V | |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | 20 V | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A | |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Вес, г | 3.5 |
