IRFU110PBF, транзистор MOSFET N канал 100В 4.3A 3-Pin
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
530 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 45 шт. —
256 ֏
5 шт.
на сумму 2 650 ֏
Описание
транзисторы полевые импортные
МОП-транзистор N-Chan 100V 4.3 Amp
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.3 | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 25 | |
Корпус | DPAK(TO-252AA) | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 540 | |
Температура, С | -55…+150 | |
Вид монтажа | Through Hole | |
Высота | 6.22 mm | |
Длина | 6.73 mm | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Размер фабричной упаковки | 3000 | |
Серия | IRFR/U | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Торговая марка | Vishay / Siliconix | |
Упаковка | Tube | |
Упаковка / блок | TO-251-3 | |
Ширина | 2.39 mm | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 4.3 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 540 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 25 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | IPAK(TO-251) | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V | |
Width | 2.38mm | |
Case | IPAK, TO251 | |
Drain current | 2.7A | |
Drain-source voltage | 100V | |
Gate charge | 8.3nC | |
Gate-source voltage | ±20V | |
Kind of channel | enhanced | |
Kind of package | tube | |
Manufacturer | VISHAY | |
Mounting | THT | |
On-state resistance | 0.54Ω | |
Polarisation | unipolar | |
Power dissipation | 25W | |
Type of transistor | N-MOSFET | |
Вес, г | 7 |