IRLZ14PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10А 43Вт
![Фото 1/7 IRLZ14PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10А 43Вт](https://static.chipdip.ru/lib/827/DOC043827691.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/728/DOC017728233.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/166/DOC004166247.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515025.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/614/DOC007614548.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/957/DOC033957880.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/957/DOC033957887.jpg)
209 ֏
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
от 28 шт. —
187 ֏
от 50 шт. —
178 ֏
от 150 шт. —
165 ֏
10 шт.
на сумму 2 090 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10А 43Вт
Технические параметры
Корпус | to-220 | |
EU RoHS | Compliant | |
ECCN (US) | EAR99 | |
Part Status | Active | |
HTS | 8541.29.00.95 | |
Product Category | Power MOSFET | |
Configuration | Single | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 | |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±10 | |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2 | |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 10 | |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 200@5V | |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 8.4(Max)@5V | |
Typical Gate to Drain Charge (nC) | 6(Max) | |
Typical Gate to Source Charge (nC) | 3.5(Max) | |
Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 340 | |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 400@25V | |
Typical Output Capacitance (pF) | 170 | |
Maximum Power Dissipation (mW) | 43000 | |
Typical Fall Time (ns) | 26 | |
Typical Rise Time (ns) | 110 | |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 17 | |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9.3 | |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 | |
Automotive | No | |
Pin Count | 3 | |
Supplier Package | TO-220AB | |
Standard Package Name | TO-220 | |
Military | No | |
Mounting | Through Hole | |
Package Height | 9.01(Max) | |
Package Length | 10.41(Max) | |
Package Width | 4.7(Max) | |
PCB changed | 3 | |
Tab | Tab | |
Lead Shape | Through Hole | |
Id - непрерывный ток утечки | 10 A | |
Pd - рассеивание мощности | 43 W | |
Qg - заряд затвора | 8.4 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 5 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V | |
Вид монтажа | Through Hole | |
Время нарастания | 110 ns | |
Время спада | 26 ns | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Конфигурация | Single | |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.5 S | |
Максимальная рабочая температура | + 175 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 50 | |
Серия | IRLZ | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel | |
Типичное время задержки выключения | 17 ns | |
Типичное время задержки при включении | 9.3 ns | |
Торговая марка | Vishay / Siliconix | |
Упаковка | Tube | |
Упаковка / блок | TO-220AB-3 | |
Base Product Number | IRLZ14 -> | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 10A (Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V | |
ECCN | EAR99 | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 5V | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 25V | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Through Hole | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) | |
Other Related Documents | http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf | |
Package | Tube | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Power Dissipation (Max) | 43W (Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 6A, 5V | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Supplier Device Package | TO-220AB | |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA | |
FET Feature | - | |
Manufacturer | Vishay Siliconix | |
Packaging | Tube | |
Series | - | |
Maximum Continuous Drain Current | 10 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 200 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V | |
Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
Maximum Power Dissipation | 43 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Package Type | TO-220AB | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 8.4 nC @ 5 V | |
Width | 4.7mm | |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1038 КБ
Datasheet
pdf, 1016 КБ
Datasheet IRLZ14PBF
pdf, 1159 КБ
Datasheet IRLZ14PBF
pdf, 1160 КБ
Документация
pdf, 1159 КБ