SI4401DDY-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 16.1А 6.3Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
347 ֏
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 30 шт. —
289 ֏
от 60 шт. —
267 ֏
от 119 шт. —
249 ֏
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 2 082 ֏
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 16.1А 6.3Вт
Технические параметры
| Корпус | so-8 | |
| Channel Type | P Channel | |
| Drain Source On State Resistance | 0.018Ом | |
| Power Dissipation | 6.3Вт | |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) | |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C | |
| Монтаж транзистора | Surface Mount | |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В | |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В | |
| Непрерывный Ток Стока | 16.1А | |
| Полярность Транзистора | P Канал | |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.2В | |
| Рассеиваемая Мощность | 6.3Вт | |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.018Ом | |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC | |
| Brand: | Vishay Semiconductors | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 | |
| Fall Time: | 9 ns | |
| Forward Transconductance - Min: | 37 S | |
| Id - Continuous Drain Current: | 16.1 A | |
| Manufacturer: | Vishay | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package / Case: | SOIC-8 | |
| Part # Aliases: | SI4401DDY-GE3 | |
| Pd - Power Dissipation: | 6.3 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 64 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 15 mOhms | |
| Rise Time: | 11 ns | |
| Series: | SI4 | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Tradename: | TrenchFET | |
| Transistor Polarity: | P-Channel | |
| Transistor Type: | 1 P-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 45 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V | |
| Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 183 КБ
